RA4M2低功耗测试

目前在做RA4M2的低功耗测试,有些问题还不太明确,还希望得到指正,感谢!

1. 首次提到功耗81uA/MHz,请问是在何种条件下测得的?时钟源是那个?可不可以理解为主频32M,功耗是可以达到32*81uA的?我们想要达到的效果是主频32M,在sleep mode 工作条件下,功耗控制在3mA以内。

2. 实际使用开发板实际测得时钟源为XTAL(24M) PLL后系统时钟为32MHz,sleep模式功耗为37mA;使用HOCO(20M)PLL后系统时钟为32.5MHz,功耗为4.61mA;功耗差距为0.76mA;是否都来源于外部晶振?为啥会有这么高?

3. 如下图,手册提供的参考功耗时钟源是那个?

4. 实际测试在使用PLL后,功耗显著增加1mA以上,这种情况合理么?

5. 从deep software standby mode 唤醒需要IRQn-DS中断, IRQn-DS的使用是否和IRQn使用一样,配置成一样尝试着唤醒,未成功,IRQn-DS和IRQn的异同点是什么啊?

还请给点意见,谢谢!

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  • 1. 这个功耗需要在完全符合测试条件下才可以得到,还请确认测试条件是否满足。

    2. 您这三个功耗值,是否有哪个写错了,差距那里的数值不知道您是怎么算出来的。当然,使用外部晶振一定会比使用HOCO时候的功耗要大。

    3. high-speed mode,指的是相关寄存器(OPCCR寄存器的OPCM[1:0]位)的设置,请您查看相关内容。

    4. 是的,使用PLL的情况下,功耗会增加。

    5. IRQ-DS 引脚的使用方式与 IRQ 引脚完全相同。IRQ-DS 和 IRQ 之间的唯一区别是:IRQ-DS 可用于将设备从深度软件待机模式唤醒;而标准的 IRQ 引脚不会这样做。

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  • 1. 这个功耗需要在完全符合测试条件下才可以得到,还请确认测试条件是否满足。

    2. 您这三个功耗值,是否有哪个写错了,差距那里的数值不知道您是怎么算出来的。当然,使用外部晶振一定会比使用HOCO时候的功耗要大。

    3. high-speed mode,指的是相关寄存器(OPCCR寄存器的OPCM[1:0]位)的设置,请您查看相关内容。

    4. 是的,使用PLL的情况下,功耗会增加。

    5. IRQ-DS 引脚的使用方式与 IRQ 引脚完全相同。IRQ-DS 和 IRQ 之间的唯一区别是:IRQ-DS 可用于将设备从深度软件待机模式唤醒;而标准的 IRQ 引脚不会这样做。

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