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R5F10Y47のデバッグ電圧範囲について

お世話になっております。

マサと申します。

R5F10Y47のE1のデータシートの2.7.2章に以下の記述がありました。

RL78-S1コアデバイスは、フラッシュメモリの書き換え可能電圧が4.5 V~5.5 Vのため4.5V未満では プログラムのダウンロードなどフラッシュ書き換えが必要なデバッグ機能が動作しません。

これはオンチップデバッグを行う時、4.5~5.5Vの電圧範囲でなければできないという認識であっているでしょうか?

  • チョコです。
    ルネサスからR0E510Y47LVB00と言うRL78/G10グループ 低電圧OCDボードがあるので,これを使うのが正式な低電圧でのOCDの方法ではないでしょうか。
    個人的には,3.3Vで書き込んでデバッグしていますが,外部電源にしておいて,4.5Vで書き込んで,その後電圧を下げていくことも考えられます(やったことはありませんが)。
    RL78/G10は,デバッグ中にフラッシュを書き換えることはない(セルフプログラミングできないので,ソフトブレークポイント設定の書き込みはない)ので,低電圧でもデバッグできると思います。
  • わわいです
    データシートにそう書いているなら、そのあなたの認識であってます。

    まあしかし、実際に3.3でやってみると出来ている、ということもあるかもしれません。
    が、それはメーカの保証外であるというのはわかっておく必要がありますねー
  • In reply to わわい:

    チョコです。
    「プログラムのダウンロードなどフラッシュ書き換えが必要なデバッグ機能が動作しません。」はデバッグできないと等価ではありません。フラッシュを書き換えないデバッグはできるということです。
  • In reply to チョコ:

    チョコさん
    実力では3.3Vでフラッシュ出来るんですねー。
    3.3Vのトリプラーで9.9Vだとすると、一般的にいわれている消去に必要な最低電圧10Vギリギリですね。
    たぶん11V以上はないと書き込み時間が伸びたり色々問題が出てきそうな気もしなくはありませんけれども、、、

    まさか、クアドラプラーなチャージポンプ搭載だったりして?!

  • In reply to Kirin:

    チョコです。
    E1の3.3Vなので,正確さは不明ですが,かなりのところ書けていました。
    サンプルプログラム等に投稿した,R5F10Y16でのソフトウェアによるI2Cスレーブの最後の頃には3.3Vでは書けなくなり,5Vで書くようになりましたが。
  • In reply to チョコ:

    チョコさん
    あっと言う間にヘタってしまいましたね^^;
    やっぱり適正電圧を掛けないとチップスペックの書き換え回数や寿命が実現できないんですね。

    でも、もしかしてチョコさんのことだからデバッグ時に1000回くらいは書き換えしてるかもしれませんね。(既に天命近くは書き込めてた?!)

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