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FETのゲート電圧は注意しないといけません、すぐに壊れます とくにドレイン電圧が低い場合100V以下ではそんなでもないですが 100V以上600V超ではゲート電圧を最小(-側)にしても 流した電流が大きい場合、なだれ現象によりOFFにならない 最後には昇天
  • IKUZOさん

    IGBTもFETもCMOSもゲートがハイインピーダンスであり、接続を誤ると簡単に壊れる ということを理解しない設計や製造が怖いですね。

    大型のIGBTブロックにはゲートとエミッタ間にジャンパーが有り、組立の直前まで外さないように注意書きもあります。 

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