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PowerMOSFETとIGBTの棲み分け

インバータ制御用にパワーデバイスの勉強を
しています。

 PowerMOSFETとIGBTの棲み分けについて

 ① 横軸:スイッチング速度
   縦軸:電流容量
  の観点で、PowerMOSFETとIGBTのカバー
  エリアを表記

 ② 横軸:耐圧
   縦軸:電流容量
  の観点で、PowerMOSFETとIGBTのカバー
  エリアを表記

 といった図表を目にしましたが、この2つの
表記方法がこの世界では一般的なのでしょうか?
どなたかご存知の方いらっしゃいましたら、
ご教示お願い致します。
  • ご質問の件、世界標準は、②(縦軸:耐圧、横軸:電流)ですが、パワーMOSFETとIGBTの違いは、動作周波数と耐圧ですので、横軸:耐圧、縦軸:動作周波数で示せば、良く棲み分けができると思います。ご存知の通り、MOSFETは、数百KHz(縦型構造)~数MHz以上(横型)の動作が、可能ですが、IGBTは、現時点では、100KHz以下が適当な用途と理解してます。加えてIGBTは、高耐圧・大電流デバイスのためインバータ用途の600V\,1200Vでは最適といえます。(低耐圧ではトレンチMOSに比べ劣りますが)
    IGBTも昨今、MOSFETと同様に用途別に、最適化されているシリーズが製品化されていると思います。インバータ用であれば、一般的には、動作周波数fは、数十KHzであるため、低VCE(sat)で高負荷短絡耐量のデバイスを選定した方が宜しいかと思います。電源用PFC回路のように効率優先の用途では、多少VCE(sat)は犠牲にしても、スイッチング速度の速い製品を選択すべきでしょう。高速性と高破壊耐量、高速性と低VCE(sat)は、トレイドオフ関係になります。
  • ごめんなさい、世界標準は、②(縦軸:耐圧、横軸:電流)は、縦軸:電流Id\,Ic、横軸:耐圧VDS\,VCEでした。
    縦軸:電流はオン抵抗RonやVCE(sat)の指標、横軸:耐圧は、用途Application・動作条件から選定される指標になります。
  • 一寸法師さん

     ♪『指に足りない一寸法師、
      小さな体に大きな望み
      お椀の舟に箸の櫂
      京にはるばるのぼり行く』
     
     ご回答の御礼に一曲歌わせて頂きました。

     PowerMOSFETとIGBTの棲み分け表記の件
     良く分かりました。有難うございます。

     先日、秋葉原でPchとNchのPowerMOSFETを
     購入して、Hブリッジの実験をしていますが、
     次はIGBTを使ってみたいです。これは
     大容量のモータ制御が目的です。

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