PowerMOSFETとIGBTの棲み分け

インバータ制御用にパワーデバイスの勉強を
しています。

 PowerMOSFETとIGBTの棲み分けについて

 ① 横軸:スイッチング速度
   縦軸:電流容量
  の観点で、PowerMOSFETとIGBTのカバー
  エリアを表記

 ② 横軸:耐圧
   縦軸:電流容量
  の観点で、PowerMOSFETとIGBTのカバー
  エリアを表記

 といった図表を目にしましたが、この2つの
表記方法がこの世界では一般的なのでしょうか?
どなたかご存知の方いらっしゃいましたら、
ご教示お願い致します。
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  • ごめんなさい、世界標準は、②(縦軸:耐圧、横軸:電流)は、縦軸:電流Id\,Ic、横軸:耐圧VDS\,VCEでした。
    縦軸:電流はオン抵抗RonやVCE(sat)の指標、横軸:耐圧は、用途Application・動作条件から選定される指標になります。
Reply
  • ごめんなさい、世界標準は、②(縦軸:耐圧、横軸:電流)は、縦軸:電流Id\,Ic、横軸:耐圧VDS\,VCEでした。
    縦軸:電流はオン抵抗RonやVCE(sat)の指標、横軸:耐圧は、用途Application・動作条件から選定される指標になります。
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