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低飽和タイプの保護部品について

Kijo
μPC2400Aシリーズなどは低飽和タイプでPNPトランジスタのコレクタが出力です。しかし、データシートで出力電圧が入力電圧よりも下がった時の保護用ダイオード追加を推奨してます。
NPNのエミッタ出力の場合はE-B間の逆バイアスで薄いベース領域に空乏層が広がり壊れてしまう懸念がありダイオードの挿入は理解できますが、低飽和タイプの場合にはそのダイオードの必要な理由が理解できません。
Parents
  • Kijiさん。

    大変に勉強されていて私よりよく理解されているようで恐縮なのですが、書きこみ頂いた内容を拝見してちょっと理解できていないところがあります。

    　出力PNPのベースエミッタ間耐圧が0.7V(拡散抵抗でのエピとの分離を保つため)であれば、そのあとで書かれている接合の耐圧が高いことに意味は無いように思うのです。素子としての耐圧は一番低い部分できまりますので。

    >いずれにせよラテラルでもバーチカルでも
    >ベースエミッタ間耐圧は16.5Vで5Vよりは
    >かなり大きな値になってます。
    >たぶん接合の逆耐圧はもっと大きいと思います。

    ショットキーを使わないと保護にならないのではとのご指摘については、この経路にベース・コレクタ間接合が直列に入ることを考えにいれると、VF=0.7Vのシリコンダイオードで間に合うのではないかというのが私の見解です。（考えが浅いかな？）



    余談：ブレッドボードのサイトは、早速拝見しましたが、私も好きになりそうです。




Reply
  • Kijiさん。

    大変に勉強されていて私よりよく理解されているようで恐縮なのですが、書きこみ頂いた内容を拝見してちょっと理解できていないところがあります。

    　出力PNPのベースエミッタ間耐圧が0.7V(拡散抵抗でのエピとの分離を保つため)であれば、そのあとで書かれている接合の耐圧が高いことに意味は無いように思うのです。素子としての耐圧は一番低い部分できまりますので。

    >いずれにせよラテラルでもバーチカルでも
    >ベースエミッタ間耐圧は16.5Vで5Vよりは
    >かなり大きな値になってます。
    >たぶん接合の逆耐圧はもっと大きいと思います。

    ショットキーを使わないと保護にならないのではとのご指摘については、この経路にベース・コレクタ間接合が直列に入ることを考えにいれると、VF=0.7Vのシリコンダイオードで間に合うのではないかというのが私の見解です。（考えが浅いかな？）



    余談：ブレッドボードのサイトは、早速拝見しましたが、私も好きになりそうです。




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