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低飽和タイプの保護部品について

Kijo
μPC2400Aシリーズなどは低飽和タイプでPNPトランジスタのコレクタが出力です。しかし、データシートで出力電圧が入力電圧よりも下がった時の保護用ダイオード追加を推奨してます。
NPNのエミッタ出力の場合はE-B間の逆バイアスで薄いベース領域に空乏層が広がり壊れてしまう懸念がありダイオードの挿入は理解できますが、低飽和タイプの場合にはそのダイオードの必要な理由が理解できません。
Parents
  • kijoさんは、メーカースタッフのコメントがないと満足されないようなので、これ以上書いても無意味かもしれませんが、最後に一点だけ書いておきます。

    旧NECの文書に三端子レギュレータの使い方というのがあり、その１９ページ（21/31)に出力―入力間の耐圧の記述があります。トランジスタの構造も書いてあります。

    http://www2.renesas.com/maps_download/pdf/G12702JJAV0UM00.pdf

    それによれば、耐圧は「出力トランジスタのベースエミッタ電圧で低電流の場合は約0.7Vです。」だそうです。


    誤記を考えたくなるような低さですね。
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  • kijoさんは、メーカースタッフのコメントがないと満足されないようなので、これ以上書いても無意味かもしれませんが、最後に一点だけ書いておきます。

    旧NECの文書に三端子レギュレータの使い方というのがあり、その１９ページ（21/31)に出力―入力間の耐圧の記述があります。トランジスタの構造も書いてあります。

    http://www2.renesas.com/maps_download/pdf/G12702JJAV0UM00.pdf

    それによれば、耐圧は「出力トランジスタのベースエミッタ電圧で低電流の場合は約0.7Vです。」だそうです。


    誤記を考えたくなるような低さですね。
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