低飽和タイプの保護部品について

μPC2400Aシリーズなどは低飽和タイプでPNPトランジスタのコレクタが出力です。しかし、データシートで出力電圧が入力電圧よりも下がった時の保護用ダイオード追加を推奨してます。
NPNのエミッタ出力の場合はE-B間の逆バイアスで薄いベース領域に空乏層が広がり壊れてしまう懸念がありダイオードの挿入は理解できますが、低飽和タイプの場合にはそのダイオードの必要な理由が理解できません。
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  • ここまで来ると、Hヤマ様やnorimaki様の書き込みのとうりデザイナあるいはデータシート作成者に聞かないとわからない事とおもいます。

    私の通常の商流ではどこの半導体メーカでも汎用品のデータシート作成担当の営業技術あるいはデザイナにお会いすることはできません。ましてやフリーディスカッションなどあり得ません。また、この手の内容に関して営業様経由で内容を伝えることは大変困難です。ユニットサプライヤ様経由もコストダウン⇒プライスダウン⇒プロフィットダウンもあり口を閉ざしてしまいます。最終商品では1銭でも機能や品質を落とさずに安くしなければ中国やタイには勝てないので少し気になります。私は、調達などではなく技術でこの価格ダウンに貢献しなければなりません。

    この手の掲示板は通常お会いできない営業技術やデザイナに直接のご意見をいただける場所として期待してます。書き込み内容に矛盾があるようにも感じますが、技術的興味の範囲でとどめますのでよろしくお願いします。
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  • ここまで来ると、Hヤマ様やnorimaki様の書き込みのとうりデザイナあるいはデータシート作成者に聞かないとわからない事とおもいます。

    私の通常の商流ではどこの半導体メーカでも汎用品のデータシート作成担当の営業技術あるいはデザイナにお会いすることはできません。ましてやフリーディスカッションなどあり得ません。また、この手の内容に関して営業様経由で内容を伝えることは大変困難です。ユニットサプライヤ様経由もコストダウン⇒プライスダウン⇒プロフィットダウンもあり口を閉ざしてしまいます。最終商品では1銭でも機能や品質を落とさずに安くしなければ中国やタイには勝てないので少し気になります。私は、調達などではなく技術でこの価格ダウンに貢献しなければなりません。

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