低飽和タイプの保護部品について

いろいろと参考になるご教授をありがとうございます。内容が教科書レベルでいまさら恥ずかしい限りです。

私の場合はマイコンを含むロジック回路の電源なので5Vがほとんどです。BC間逆耐圧が5Vならば保護なしでOKです。しかし、データシートからは全電圧でダイオードを要求しているように見えます。また、ラテラルPNPならばBE間の逆耐圧はかなり高いはずです。バーチカルでもラテラル並みと予想します。5Vで降伏するとは思えません。

P拡散抵抗からNエピ層へのパスならば発熱したPN接合の順方向電流をバイパスするのだから、よりVfの小さいショットキーダイオードにすべきと思います。しかし、データシート等にはこの注意書きはありません。PN接合のダイオードを挿入している回路をよく見ます。

NPNのベースにより電位の低いパスは無いと思われるので、出力のPNPのベース電流は引ず、トランジスターがオンすることはないと思われます。

やはり保護ダイオードが必要な理由が見つかりません。漢方薬的なダイオードはセットのコストアップとEMCの潜在的な原因になります。できれば無くしたい。

いろいろと参考になるご教授をありがとうございます。内容が教科書レベルでいまさら恥ずかしい限りです。

私の場合はマイコンを含むロジック回路の電源なので5Vがほとんどです。BC間逆耐圧が5Vならば保護なしでOKです。しかし、データシートからは全電圧でダイオードを要求しているように見えます。また、ラテラルPNPならばBE間の逆耐圧はかなり高いはずです。バーチカルでもラテラル並みと予想します。5Vで降伏するとは思えません。

P拡散抵抗からNエピ層へのパスならば発熱したPN接合の順方向電流をバイパスするのだから、よりVfの小さいショットキーダイオードにすべきと思います。しかし、データシート等にはこの注意書きはありません。PN接合のダイオードを挿入している回路をよく見ます。

NPNのベースにより電位の低いパスは無いと思われるので、出力のPNPのベース電流は引ず、トランジスターがオンすることはないと思われます。

やはり保護ダイオードが必要な理由が見つかりません。漢方薬的なダイオードはセットのコストアップとEMCの潜在的な原因になります。できれば無くしたい。