低飽和タイプの保護部品について

こんなことも考えられますね。

出力TRのコレクタからベースに電流が流れてしまうと、このTrはコレクタとエミッタが入れ替わったトランジスタとして動作します。HFEは小さいです。結果としてOUTからINに大電流が流れる可能性が発生します。これは、予測可能ですね。

一番難しい問題と思うのは、等価回路が成立するのは設計上想定された動作状態であるときだということです。
ディスクリートで組まれた回路であれば、電位が変わっても回路は変わりません。ところがICでは、例えばINがOUTより高いとしてPN接合の逆バイアスを使って絶縁を行います。このような接合を寄生ダイオードと呼んだりします。実際のICには等価回路にない通常は動作していないパーツが詰め込まれていると考えるべきなのです。
OUTがINより高くなってこのような寄生ダイオードがONするような状況では他にも出来ている寄生トランジスタなどが動作してしまい、素子破損を含む予測できない結果を生じる可能性があります。このような場合の挙動は、製造ロットによっても変化します。つまり長いあいだ生産して問題が出ていなくても、ある日突然不具合がで始める可能性もあるのです。

この予防がダイオードの追加の推奨ではないかと思います。

こんなことも考えられますね。

出力TRのコレクタからベースに電流が流れてしまうと、このTrはコレクタとエミッタが入れ替わったトランジスタとして動作します。HFEは小さいです。結果としてOUTからINに大電流が流れる可能性が発生します。これは、予測可能ですね。

一番難しい問題と思うのは、等価回路が成立するのは設計上想定された動作状態であるときだということです。
ディスクリートで組まれた回路であれば、電位が変わっても回路は変わりません。ところがICでは、例えばINがOUTより高いとしてPN接合の逆バイアスを使って絶縁を行います。このような接合を寄生ダイオードと呼んだりします。実際のICには等価回路にない通常は動作していないパーツが詰め込まれていると考えるべきなのです。
OUTがINより高くなってこのような寄生ダイオードがONするような状況では他にも出来ている寄生トランジスタなどが動作してしまい、素子破損を含む予測できない結果を生じる可能性があります。このような場合の挙動は、製造ロットによっても変化します。つまり長いあいだ生産して問題が出ていなくても、ある日突然不具合がで始める可能性もあるのです。

この予防がダイオードの追加の推奨ではないかと思います。