低飽和タイプの保護部品について

μPC2400Aシリーズなどは低飽和タイプでPNPトランジスタのコレクタが出力です。しかし、データシートで出力電圧が入力電圧よりも下がった時の保護用ダイオード追加を推奨してます。
NPNのエミッタ出力の場合はE-B間の逆バイアスで薄いベース領域に空乏層が広がり壊れてしまう懸念がありダイオードの挿入は理解できますが、低飽和タイプの場合にはそのダイオードの必要な理由が理解できません。
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  • kijoさん お疲れ様です。

    uPC2400Aのブロック図で説明します。
     負荷側のコンデンサでOut側にIN側より高い電圧が残った場合、出力トランジスタのコレクタからベースに電流が流れます。またベースからエミッタには逆電圧がかかり、数値は明記されていませんが、5V程度でブレークダウンが発生します。
     トランジスタのベースがブレークダウンするとトランジスタのhFEが徐々に低下し、通常動作時にレギュレータの発熱が大きくなりますます。
     おそらくこのようなことを考えて、出力側から入力側へダイオードを入れていると思われます。

     ルネサスさんの見解を聞きたいですね。

    rXS8UUjLvPHYU25k-0_A0009.jpg

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  • kijoさん お疲れ様です。

    uPC2400Aのブロック図で説明します。
     負荷側のコンデンサでOut側にIN側より高い電圧が残った場合、出力トランジスタのコレクタからベースに電流が流れます。またベースからエミッタには逆電圧がかかり、数値は明記されていませんが、5V程度でブレークダウンが発生します。
     トランジスタのベースがブレークダウンするとトランジスタのhFEが徐々に低下し、通常動作時にレギュレータの発熱が大きくなりますます。
     おそらくこのようなことを考えて、出力側から入力側へダイオードを入れていると思われます。

     ルネサスさんの見解を聞きたいですね。

    rXS8UUjLvPHYU25k-0_A0009.jpg

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