ジャンクション温度の定格について疑問？

norimakiさん　お疲れ様です。

一般的な半導体ではガラエポの基板に乗せるので、ガラエポの耐熱性　100℃程度を考えると、デバイスのジャンクション温度は150℃程度で十分でしょう。

しかし、200℃環境での動作が求められる使用条件が厳しいパワーデバイスでは、ジャンクション温度も当然200℃を超えてしまいます。
添付のパワーデバイスの報告書の17ページにROHMのSicデバイスの例が記載されていました。
http://www4.fed.or.jp/Searchreport/7no4com.pdf

電気自動車の高性能化につれて、高いジャンクション温度のデバイスがどんどん増えてくると思います。

norimakiさん　お疲れ様です。

一般的な半導体ではガラエポの基板に乗せるので、ガラエポの耐熱性　100℃程度を考えると、デバイスのジャンクション温度は150℃程度で十分でしょう。

しかし、200℃環境での動作が求められる使用条件が厳しいパワーデバイスでは、ジャンクション温度も当然200℃を超えてしまいます。
添付のパワーデバイスの報告書の17ページにROHMのSicデバイスの例が記載されていました。
http://www4.fed.or.jp/Searchreport/7no4com.pdf

電気自動車の高性能化につれて、高いジャンクション温度のデバイスがどんどん増えてくると思います。