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RX630のサブクロック(XT1,XT2)をオシロで見てみました。FFT解析で歪も一緒に見てみましたけど、やっぱりXT1の方がSIN波に近くて、歪んでませんね。不思議なことにXT1にアクティブ(FET)プローブをつけると発振が止まってしまうんですけれども、ノーマルプローブをつけると発振を続けてくれました。まぁ、入力側のX1やXT1にプローブをつけること自体ご法度なんですけどね。それと、最近低消費電力で低CL発振子が流行っているせいか特にRL78のサブは振幅が小さいですね。XT1が0Vを中心に±0.2Vとかで発振したりするので、端子の絶対定格を下回らないように10MΩのフィードバック抵抗を追加して振幅の中心電圧を持ち上げたり、ドライブ電力モードを調整したり色々試行錯誤してます。もしかしたら、XT1にプローブを当てているせいで、振幅が0Vを下回っているのかもしれませんが、オシロで見ないとどうなっているか分からないし、困ったもんです。(とりあえず、XT1の波形は見なかったことにしてますけど、、) 左がRX630のXT1 右がXT2 ↓
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RL78/G13のサブクロックのI/O特性をハンディテスターを使って調べてみました。マイコン側のドライブ能力が分かれば、水晶のデータシートと見比べて部品選定できそうです。でも結果的には、通常発振も超低消費発振もドライブ能力の違いは少ないですね。■条件 VDD=3.3V ボード:QB-R5F100LE-TB 28℃ 45%Rh・通常発振ドライブ能力= 0.33uW {AMPHS1\,AMPHS0}={0\,1}で XT1=GND印加時のXT2-GND電流は0.45uA\,XT2の電圧は0.73V・低消費発振ドライブ能力= 0.23uW {AMPHS1\,AMPHS0}={0\,0}で XT1=GND印加時のXT2-GND電流は0.33uA\,XT2の電圧は0.71V・超低消費発振ドライブ能力= 0.15uW {AMPHS1\,AMPHS0}={1\,0}で XT1=GND印加時のXT2-GND電流は0.22uA\,XT2の電圧は0.68V・チップ内蔵XT2-XT1帰還抵抗= 37MΩ XT1-GND間の電流値は0.02uA、この時XT2の 電圧は0.73Vだったので、0.73V/0.02uA=37MΩ テスターだとさすがにサブuA以下は計れないので、 暖まるまで何十分も掛かる高級?な電流計を持ち出してきました でも、ほとんどノイズレベルで、ちょっとの測定誤差で フィードバック抵抗の計算も大きく変わるので目安ですね。ということで、オシロで見たときXT1の振幅の中間点が電源の1/2ではなかった原因は、XT1にオシロのプローブをつなぐと1MΩのプルダウン抵抗に見えるので、XT1のブリーダ抵抗的にチップ内蔵フィードバック抵抗37MΩとの分圧になり、振幅の中間点が0V付近まで下がってしまうことが分かりました。XT1を見たつもりの、この波形は嘘ということですね。(すっきり!)
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