RX65NのコードフラッシュメモリP/Eモード移行

いつもお世話になっております。ななと申します。

RX65Nでオプション機能選択レジスタの値を書き換えるためにコードフラッシュ書き込みをしたいのですが、データシートのコードフラッシュメモリP/Eモード移行にある通りにFENTRYRレジスタに0xAA01を書き込むと、フラッシュ書き換えモード中のため内蔵ROM領域にアクセスできませんと出ます。フラッシュの制御はFITモジュールを使用することでしか経験がないため、任意のタイミングでFACIコマンドだけ使用する方法がまだまだ曖昧です。設定漏れを見つける手掛かりが見つかればと思い、投稿させていただきます。

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  • ご回答ありがとうございました。少しずつ理解できました。
    プログラムを実行することで書き換えるものではなく、プログラムを書き込むときに一緒にメモリの値を変えるものと理解しました。
    オプション設定メモリのアドレスの記述はvecttbl.cにありました。
    設定する値はr_bsp_config.hを参照しており、スマートコンフィグレータでコード生成することで変更できました。
    ただし、電圧監視リセット0に関してはエミュレータが強制的にリセット無効に戻す仕様になっていました。
    なので、RFPを使用して書き込みを行う必要があるようです。
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  • ご回答ありがとうございました。少しずつ理解できました。
    プログラムを実行することで書き換えるものではなく、プログラムを書き込むときに一緒にメモリの値を変えるものと理解しました。
    オプション設定メモリのアドレスの記述はvecttbl.cにありました。
    設定する値はr_bsp_config.hを参照しており、スマートコンフィグレータでコード生成することで変更できました。
    ただし、電圧監視リセット0に関してはエミュレータが強制的にリセット無効に戻す仕様になっていました。
    なので、RFPを使用して書き込みを行う必要があるようです。
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